前沿拓展：

晶振和電容的關系

大家都知道電容的基本作用就是充電和放電，那么在晶振下的負載電容，又跟晶振是怎樣的關系呢？

晶振的匹配電容，我們也稱負載電容，負載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內部有效電容之和，晶振所需要外接的電容，也是使晶振兩端的等效電容（電路之間的分布電容）等于負載電容，負載就是晶振起振的電容，這時候電容的作用就很明顯了，充電，晶振起振。負載電容很重要，決定著晶振是否可以在產品中正常起振工作。

如果工程師在選購晶振時，最好把所需的負載電容等重要參數，也跟采購說明；那么采購在晶振選型過程中，會減少很多選型彎路。晶振的負載不能確認的話，電容很難匹配，起振電容無法充電放電，晶振也就起振不了；當分布電容與晶振電容值是相等時，就可以讓晶振發出諧振頻率了。電容大小能影響晶振頻率的穩定度和相位，越小價格也會越高。所以這個負載還決定著這個其晶振本身的一個價格。

晶振和電阻的關系

1、配合IC內部電路組成負反饋、移相,使放大器工作在線性區

晶振輸入輸出連接的電阻作用是產生負反饋，保證放大器工作在高增益的線性區，同時起到限流的作用，防止反向器輸出對晶振過驅動，損壞晶振。這個電阻是為了使本來為邏輯反相器的器件工作在線性區, 以獲得增益, 在飽和區是沒有增益的, 而沒有增益是無法振蕩的. 如果用芯片中的反相器來作振蕩, 必須外接這個電阻, 對于CMOS而言可以是1M以上, 對于TTL則比較復雜, 視不同類型(S,LS...)而定. 如果是芯片指定的晶振引腳, 如在某些微處理器中, 常?？梢圆患? 因為芯片內部已經制作了。

2、晶振串聯的電阻常用來預防晶振被過分驅動；

晶振過分驅動的后果是將逐漸損耗減少晶振的接觸電鍍，這將引起頻率的上升，并導致晶振的早期失效，又可以講drive level調整用。用來調整drive level和發振余裕度。

3、并聯降低諧振阻抗,使諧振器易啟動；

Xin和Xout的內部一般是一個施密特反相器,反相器是不能驅動晶體震蕩的.因此,在反相器的兩端并聯一個電阻,由電阻完成將輸出的信號反向180度反饋到輸入端形成負反饋,構成負反饋放大電路.晶體并在電阻上,電阻與晶體的等效阻抗是并聯關系,并聯降低諧振阻抗,使諧振器易啟動；

電阻的作用是將電路內部的反向器加一個反饋回路，形成放大器，當晶體并在其中會使反饋回路的交流等效按照晶體頻率諧振，由于晶體的Q值非常高，因此電阻在很大的范圍變化都不會影響輸出頻率。

拓展知識：