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11月15日，斯達(dá)半導(dǎo)（603290.SH）披露了非公開(kāi)發(fā)行A股股票發(fā)行情況報(bào)告書(shū)，宣告了35億元的定增計(jì)劃終于落地。

從結(jié)果來(lái)看，有13家知名機(jī)構(gòu)和1名“神秘”的個(gè)人投資者作為“幸運(yùn)兒”拿到“打折價(jià)”，最終成為了這家細(xì)分行業(yè)龍頭的股東。

國(guó)內(nèi)外多家知名機(jī)構(gòu)參與定增

斯達(dá)半導(dǎo)成立于2005年，2020年在上交所主板上市。公司自創(chuàng)業(yè)初期就專(zhuān)注于以IGBT為主的功率半導(dǎo)體芯片和模塊的設(shè)計(jì)研發(fā)和生產(chǎn)，目前主要從事IGBT芯片和FRD芯片的設(shè)計(jì)和工藝以及IGBT模塊的設(shè)計(jì)、制造和測(cè)試。

該公司有部分業(yè)務(wù)是通過(guò)下設(shè)的子公司展開(kāi)，具體情況如下：浙江谷藍(lán)主要從事半導(dǎo)體分立器件銷(xiāo)售；嘉興斯達(dá)微電子主要從事半導(dǎo)體分立器件制造和銷(xiāo)售、集成電路芯片設(shè)計(jì)、產(chǎn)品制造及銷(xiāo)售；嘉興斯達(dá)電子主要從事IGBT模塊銷(xiāo)售業(yè)務(wù)；上海道之科技有限公司于2013年1月在上海市嘉定區(qū)新能源汽車(chē)及關(guān)鍵零部件產(chǎn)業(yè)基地設(shè)立，旨在加快新能源汽車(chē)IGBT模塊的研發(fā)與生產(chǎn)，主營(yíng)業(yè)務(wù)是新能源汽車(chē)IGBT模塊的生產(chǎn)與銷(xiāo)售；斯達(dá)歐洲主要從事國(guó)際業(yè)務(wù)的拓展和前沿功率半導(dǎo)體芯片及模塊的設(shè)計(jì)和研發(fā)。

最新公告顯示，此次定增最終發(fā)行的股份數(shù)量為1060.61萬(wàn)股，發(fā)行價(jià)格為330元/股，募得資金約35億元，實(shí)際募集資金凈額約為34.77億元。

值得一提的是，斯達(dá)半導(dǎo)自2020年2月上市后，股價(jià)（以下均指前復(fù)權(quán)）一路狂飆猛進(jìn)，至11月16日已經(jīng)累漲近30倍，最新收盤(pán)價(jià)為449.3元/股。

這也意味著，以11月16日的收盤(pán)價(jià)計(jì)算，此次獲配份額的投資者以“73折”的價(jià)格拿到了斯達(dá)半導(dǎo)的股份，堪稱(chēng)撿了大便宜。

據(jù)公告披露，此次的“幸運(yùn)兒”包括13家國(guó)內(nèi)外的知名機(jī)構(gòu)和1名個(gè)人投資者，其中機(jī)構(gòu)投資者包括富國(guó)基金、博時(shí)基金以及“國(guó)家隊(duì)”先進(jìn)制造產(chǎn)業(yè)投資基金二期（有限合伙）等。

而唯一的一名個(gè)人投資者郭偉松的來(lái)頭似乎也不小，其披露的投資者分類(lèi)為“B類(lèi)專(zhuān)業(yè)投資者”。據(jù)相關(guān)規(guī)定，郭偉松應(yīng)是具有證券、基金等投資經(jīng)歷的業(yè)內(nèi)人士。據(jù)悉，今年以來(lái)，包括廣電計(jì)量、捷佳偉創(chuàng)、多氟多在內(nèi)的十多家公司最終獲配定增份額的名單中均出現(xiàn)了郭偉松的名字。

據(jù)悉，此次募得的資金將分別用于高壓特色工藝功率芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動(dòng)化改造項(xiàng)目及補(bǔ)充流動(dòng)資金。

其中，子公司嘉興斯達(dá)微電子是募投項(xiàng)目《高壓特色工藝功率芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目》、《SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目》的實(shí)施主體；斯達(dá)半導(dǎo)則是《功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動(dòng)化改造項(xiàng)目》的實(shí)施主體。

如果投產(chǎn)順利，定增項(xiàng)目將為斯達(dá)半導(dǎo)每年帶來(lái)30萬(wàn)片6英寸功率芯片、6萬(wàn)片6英寸SiC芯片以及400萬(wàn)片的功率模塊的產(chǎn)能增量，打破產(chǎn)能瓶頸。

斯達(dá)半導(dǎo)為何受青睞？

斯達(dá)半導(dǎo)究竟有什么獨(dú)特之處引得眾多實(shí)力非凡的機(jī)構(gòu)和個(gè)人投資者者參與定增？

這或許和該公司的業(yè)績(jī)持續(xù)高增以及公司是IGBT龍頭前景向好有關(guān)。

所謂的IGBT，中文名為絕緣柵雙極型晶體管，由BJT和MOSFET組成的復(fù)合功率半導(dǎo)體器件，兼具M(jìn)OSFET的輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)功率小、開(kāi)關(guān)速度快和BJT的導(dǎo)通壓降低、載流能力大、耐壓高雙方面的優(yōu)點(diǎn)，因此在中低頻率、大功率電源中應(yīng)用廣泛，是目前主要的功率半導(dǎo)體器件。

IGBT作為一種新型功率半導(dǎo)體器件，是電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的器件，能夠在電路中精準(zhǔn)調(diào)控，提高功率轉(zhuǎn)換、傳送和控制的效率，因此被稱(chēng)為電力電子行業(yè)的“CPU”，廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制及自動(dòng)化、新能源發(fā)電、新能源汽車(chē)、電機(jī)節(jié)能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、家用電器等諸多領(lǐng)域。

在實(shí)際應(yīng)用中，IGBT可按照產(chǎn)品類(lèi)型分為單管（分立器件）、IGBT模塊和智能功率模塊IPM三類(lèi)，區(qū)別之處主要在于生產(chǎn)制造技術(shù)和下游應(yīng)用場(chǎng)景均有所差異，IGBT單管、IGBT模塊和IPM采用了不同的電路設(shè)計(jì)和封裝技術(shù)。由于IGBT模塊的尺寸相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)化，芯片間的連接也已在模塊內(nèi)部完成，因此和同容量的器件相比，具有體積小、重量輕、集成度高、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單、散熱穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)，在IGBT應(yīng)用市場(chǎng)中占比過(guò)半。

由于IGBT市場(chǎng)規(guī)模的持續(xù)增長(zhǎng)以及公司行業(yè)地位和市場(chǎng)份額的提升，近年來(lái)斯達(dá)半導(dǎo)的營(yíng)收和歸母凈利潤(rùn)均保持快速增長(zhǎng)，且凈利潤(rùn)增速高于營(yíng)收增速，這主要得益于毛利率的提升和期間費(fèi)用率的下降。

而在2021年前三季度，該公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收11.97億元，同比增長(zhǎng)79.11%，實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)2.67億元，同比增長(zhǎng)98.71%，雙雙超過(guò)2020年全年的數(shù)據(jù)。這也是斯達(dá)半導(dǎo)前三季度股價(jià)飛漲的主要原因之一。

據(jù)悉，上述報(bào)告期內(nèi)業(yè)績(jī)飆增很大程度上是由于公司產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化升級(jí)，新能源業(yè)務(wù)增勢(shì)迅猛。

除了當(dāng)下業(yè)績(jī)持續(xù)增長(zhǎng)之外，斯達(dá)半導(dǎo)的前景也被廣泛看好。

根據(jù)IHS Markit報(bào)告，2018年全球IGBT市場(chǎng)規(guī)模約為62億美金，2012年至2018年的復(fù)合增長(zhǎng)率為11.65%。而同期內(nèi)中國(guó)IGBT的市場(chǎng)規(guī)模增速快于全球。集邦咨詢(xún)預(yù)測(cè)，受益于新能源汽車(chē)和工業(yè)領(lǐng)域的需求大幅增加，中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模將持續(xù)增長(zhǎng)，2025年中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到522億人民幣，是細(xì)分市場(chǎng)中發(fā)展最快的半導(dǎo)體功率器件。

不過(guò)，由于IGBT對(duì)設(shè)計(jì)及工藝要求較高，國(guó)外起步早且設(shè)備工藝經(jīng)驗(yàn)豐富，而國(guó)內(nèi)企業(yè)產(chǎn)業(yè)化起步較晚，且缺乏相應(yīng)的技術(shù)人才和工藝基礎(chǔ)，核心芯片依賴(lài)于進(jìn)口，國(guó)內(nèi)企業(yè)發(fā)展緩慢。目前IGBT市場(chǎng)仍長(zhǎng)期被國(guó)外巨頭所壟斷，行業(yè)集中度較高。

不管從市場(chǎng)份額占比還是營(yíng)收體量來(lái)看，排名第一的英飛凌以絕對(duì)優(yōu)勢(shì)穩(wěn)居第一。細(xì)分來(lái)看，根據(jù)英飛凌的數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2019年IGBT分立器件全球市場(chǎng)規(guī)模為14.4億美元，英飛凌以32.5%的市場(chǎng)占有率占據(jù)領(lǐng)先地位，其次分別是富士、安森美、東芝和三菱，CR5約63.9%；2019年IGBT模塊全球市場(chǎng)規(guī)模為33.1億美元，英飛凌以35.6%的市場(chǎng)占有率占據(jù)領(lǐng)先地位，其次分別是三菱、富士、賽米控和威科電子，CR5約68.8%；2019年IPM模塊全球市場(chǎng)規(guī)模為15.9億美元，三菱以32.7%的市場(chǎng)占有率占據(jù)領(lǐng)先地位，其次分別是安森美、英飛凌、富士和賽米控，CR5約76.9%。

作為對(duì)比，我國(guó)只有少數(shù)企業(yè)如斯達(dá)半導(dǎo)位列IGBT模塊市場(chǎng)并列第七（2.5%），功率器件IDM龍頭士蘭微位列IGBT分立器件市場(chǎng)第十（2.2%）、IPM模塊市場(chǎng)第九（1.1%），具備一定的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，中國(guó)IGBT市場(chǎng)的自給率在2015年首次超過(guò)了10%，并逐漸增長(zhǎng)至2018年的14.1%。根據(jù)智研咨詢(xún)的預(yù)測(cè)，2024年我國(guó)IGBT行業(yè)產(chǎn)量將達(dá)到7820萬(wàn)只，市場(chǎng)需求總量約為19550萬(wàn)只，預(yù)計(jì)中國(guó)IGBT市場(chǎng)自給率將達(dá)到40%，行業(yè)進(jìn)口替代空間巨大。

由此可見(jiàn)，斯達(dá)半導(dǎo)所處細(xì)分行業(yè)的前景非常光明，且國(guó)產(chǎn)替代將成為一個(gè)長(zhǎng)期的趨勢(shì)，這對(duì)斯達(dá)半導(dǎo)這個(gè)行業(yè)國(guó)產(chǎn)龍頭來(lái)說(shuō)是一大利好。

結(jié)語(yǔ)

在行業(yè)高景氣，斯達(dá)半導(dǎo)業(yè)績(jī)大漲的當(dāng)下，也有多家券商機(jī)構(gòu)給予了該公司“買(mǎi)入”評(píng)級(jí)。

不過(guò)，畢竟斯達(dá)半導(dǎo)的股價(jià)在一年多的時(shí)間內(nèi)漲了近30倍，其動(dòng)態(tài)市盈率目前超過(guò)了200倍。不論是和自己的平均估值比較還是和同行如士蘭微的估值比較，均屬于偏高的水平。

另外，今年以來(lái)，該公司也有一些浮盈不少的股東選擇了減持兌現(xiàn)收益，這些情況也值得關(guān)注。

本文源自財(cái)華網(wǎng)

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