三洋43ce660led故障(三洋43ce680led不開機)

前沿拓展：

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（報告出品方/作者：中泰證券 張欣）

一、老牌功率半導體 IDM 廠商，業績開始加速

1.1 老牌功率半導體 IDM 廠商，產品品類豐富

基本業務介紹：華微電子前身為吉林市半導體廠，成立于1965年,是我國首批建成的半導體專業生產廠家,2001年公司上交所上市，公司致力于功率半導體器件的制造和銷售方面，通過和飛利浦、仙童、Vishay等公司合作不斷提升自己綜合技術，目前已建立從高端二極管、單雙向可控硅、MOS 系列產品到第六代 IGBT、SiC 等形成國內比較齊全、具備綜合競爭力的功率半導體器件產品體系和整體解決方案供應商。

芯片規模能力突出，技術、服務、產能等優勢突出。

華微電子主要為 IDM 生產模式，經過 50 多年的積累，公司形成自己的全產品系列、產能保障、技術實力、服務保障等優勢：

產品系列優勢：

公司產品種類基本覆蓋了功率半導體器件的全部范圍，核心產品分為四大主類，以 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）、MOSFET(場效應晶體管)、BJT(雙極晶體管)為主的全控型功率器件；以 Thyristor（晶體閘流管）為主的半控型功率器件；以 Schottky（肖特基二極管）、FRD（快恢復二極管）為主的不可控型

產能優勢：

根據公司公告，公司擁有強大的芯片生產規模及交付能力，公司目前形成 4-8 英寸產線年產量 400 萬片/年、封裝資源為 24 億只/ 年，IPM 模塊封裝能力為 1800 萬塊/年，處于國內同行業的領先地位；功率二極管器件；以及 IPM（功率模塊）、PM（功率模塊）。

1.2 管理層豐富經驗，研發投入大幅增加

管理層技術研發經驗豐富。公司管理層深耕行業多年，在董事長夏增文先生為首的多數核心技術人員擁有在芯片設計和電子信息技術等半導體產業鏈中豐厚的技術實力和數十年研發經驗，如董事長曾任吉林市半導體廠廠長，具有豐富的業內經驗和地區人脈，同時堅持生產、研發、儲備相結合的技術開發戰略，不斷向功率半導體器件的中高壓 MOS、IGBT、 IPM、SiC 等中高端技術及應用領域拓展。

2021 年 H1 研發費用同比增長 128%，推進新一代產品平臺建設。

公司積 極投入研發，截至 2020 年末公司研發人員為 616 人，占比為 30%，研發費用約 6620 萬元，營收占比 3.85%，根據公司半年報，2021 年上半年研發費用為 4408 萬元，同比增加 128%，公司持續加大研發力度，推進科學化的技術研發管理，加快各級工藝技術平臺的技術創新和迭代，形成以公司級、部門級和系列化產品研發的管理平臺，突出重點研發項目。

全力推進新一代 IGBT 及模塊、中低壓 CCT MOS、超結 MOS、超高壓 FRD、平面可控硅、TVS 及齊納二極管等產品系列平臺建設，產品性能、質量及供貨能力持續提升。

1.3 受益行業需求，營收和凈利潤開始加速

受益行業需求，營收迎來經營拐點。復盤公司營收從 2016 年的 13.9 億 到 2020 年的 17.2 億，營收復合增速為 5.3%，其中，2019 年受中美貿易沖擊及市場競爭等因素影響，公司業務出現了一定衰減，營收下降 3.09%，而 2020 年及 2021 年年初受益功率半導體供不應求以及公司產品結構不斷提高，公司扭轉了營收下跌的頹勢，根據公司公告 2021 年 H1 營收 9.92 億，同比增長高達 23%。

受益行業需求疊加管理改善業績增速開始高于營收。

復盤公司歸母凈利潤從 2016 年的 0.41 億降至 2020 年 0.34 億，呈現一定的下降，主要原 因是自 2017 年后，公司研發投入大額增加，同時財務費用、管理費用大增。

另外根據公司最新季報公司 2021 年上半年歸母凈利潤為 0.27 億，同比增加 43.6%，高于營收增長主要是管理及費用率控制，同時展望 2021 年下半年，公司將繼續穩步開拓國內外市場，通過新產品，新領域的市場拓展，有效提升產能利用率，進一步降低產品成本。

圖表 5：公司近幾年營收（億元）及同比增速（%）

圖表 6：公司近幾年歸母凈利潤（億元）及同比增速（%）

毛利率保持穩定，凈利率有望觸底回升：

2018-2020 年，公司的綜合毛利率分別為 23.23%/20.60%/19.71%，公司毛利率總體保持穩定，2018-2020 年，公司凈利率分別為 6.26%/3.65%/1.98%，逐年減少。

這主要是公司在管理、研發、財務方面加大投入導致的，而 2021 年 H1，公司的銷售費用同比增加 49%，管理成本同比上升 30%，研發投入增加 128%，這些方面的投入增加導致了凈利率仍然保持 2.68%，但環比提高 0.42 個百分點。

二、功率半導體市場寬廣，國產替代帶來成長機遇

2.1 功率半導體分立器件種類較多，應用廣泛

分立器件種類較多，產品多層次衍生。

分立器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT 等半導體功率器件；其中，MOSFET 和 IGBT 屬于電壓控制型開關器件，相比于功率三極管、晶閘管等電流控制型開關器件，具有易于驅動、開關速度快、損耗低等特點。

分立器件經過 50 多年的發展迭代中，行業不斷往 MOSFET、IGBT 以及 SiC、GaN 等寬禁帶半導體分立器件為代表的多層次產品結構發展，每種產品也在應用中不斷突破原有技術瓶頸，派生出眾多規格和型號。功率半導體的發展趨勢是高功率高頻率領域。

功率半導體器件（PowerSemiconductorDevice）又稱為電力電子器件，是電力電子裝置實現電能轉換、電路控制的核心器件。

主要用途包括變頻、整流、變壓、功率放大、功率控制等，同時具有節能功效。功率半導體器件廣泛應用于移動通訊、消費電子、新能源交通、軌道交通、工業控制、發電與配電等電力、電子領域，涵蓋低、中、高各個功率層級。

功率半導體器件種類眾多。

功率半導體根據載流子類型可分為雙極型與單極型功率半導體。雙極型功率半導體包括功率二極管、雙極結型晶體管（ Bipolar Junction Transistor ， BJT ）、電力晶體管（ Giant Transistor，GTR）、晶閘管、絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）等，單極型功率半導體包括功率 MOSFET、肖特基勢壘功率二極管等。

按照材料類型可以分為傳統的硅基功率半導體器件以及寬禁帶材料功率半導體器件。傳統功率半導體器件基于硅基制造，而采用第三代半導體材料（如 SiC、GaN）具有寬禁帶特性，是新興的半導體材料。

目前功率半導體器件可分為功率二極管，功率晶體管，以及功率晶閘管。功率晶體管又可細分為 MOSFET，IGBT 和 BJT。

其中，MOSFET 和 IGBT 屬于電壓控制型開關器件，相比于功率三極管、晶閘管等電流控制型開關器件，具有易于驅動、開關速度快、損耗低等特點。

根據 WSTS，賽迪智庫預測 2017 年全球功率器件的產品分類(按銷售額)其中，MOSFET 占比 在 31%左右，IGBT 占比 19%左右。

（1）功率二極管：最傳統功率器件，應用于工業、電子等領域。

功率二極管是基礎性功率器件，廣泛應用于工業、電子等各個領域。功率二極管（Diode）是一種具有兩個電極裝置的電子元件，只允許電流由單一方向流過，同時無法對導通電流進行控制，屬于不可控型器件。二極管主要用于整流、開關、穩壓、限幅、續流、檢波等。

根據其不同用途，可分為檢波二極管、整流二極管、穩壓二極管、開關二極管、隔離二極管、肖特基二極管、發光二極管、硅功率開關二極管、旋轉二極管等。

（2）MOSFET ：高頻化器件，應用領域拓展至 4C 。

硅基 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)簡稱金氧半場效晶體管，高頻化運行，耐壓能力有限。1960 年由貝爾實驗室 Bell Lab.的 D. Kahng 和 Martin Atalla 首次實作成功，制造成本低廉、整合度高、頻率可以達到上 MHz，廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管，具體有開關電源、鎮流器、通信電源等高頻領域，應用領域由二極管的工業、電子等拓展到了四個新的領域，即 4C： Compute,Communication,Consumer,Car。

（3）BJT：是雙極型二極管，它是一個“兩結三端”電流控制器件。

從所用半導體材料上看，有硅（Si）和鍺（Ge 管之分）；從原理結構上看，可分為 NPN 和 PNP 兩種類型。BJT 有兩種驅動方式，一種是基極開關，一種是射極開關。射極開關的效率和開關速度都優于基極開關，是 BJT 應用的潮流。

（4）IGBT：融合 BJT 和 MOSFET，廣泛應用于新能源汽車、光伏、軌道交通。

IGBT 集 BJT 與 MOSFET 優點于一身，1988 年以來已進展至第六代產品。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，即絕緣柵雙極型晶體管，是由 BJT(雙極型三極管)和 MOSFET(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。

IGBT 在開通過程中，大部分時間作為 MOSFET 運行，在斷開期間，BJT 則增強 IGBT 的耐壓性。

自從 1988 年第一代 IGBT 產品問世以來，目前已經進展至第六代產品，性能方面有顯著的提升，工藝線寬由 5 微米縮小至 0.3 微米，功率損耗則將為 1/3 左右，斷態電壓大幅提高近 10 倍。

2.2 國內市場 2021 年約千億市場，國產替代帶來成長

功率半導體國內全球占比 35%左右，2021 年國內市場規模約 159 億美金。根據 IHS Markit 預測，2019 年全球功率器件市場規模約為 404 億美元，預計至 2021 年市場規模將增長至 441 億美元，2018 年至 2021 年的年化增速為 4.09%。

而目前，我國已經成為全球最大的功率半導體器件消費國，伴隨功率半導體行業的迅猛發展，以及國產替代步伐的加快，2018 年市場需求規模達到 138 億美元，增速為 9.5%，占全球需求比例超過 35%。

預計未來中國功率半導體將繼續保持較高速度增長，2021 年市場規模有望達到 159 億美元，2018 年-2021 年年化增速達 4.83%。

（1）功率二極管：2021年國內市場規模約 8672 萬美元

屬于傳統功率器件，但應用范圍廣泛。功率二極管種類眾多，包括碳化硅二極管、快恢復二極管、肖特基二極管、標準功率二極管等。

主要應用領域包含消費電子、新能源及汽車、工業電源等。華微電子在肖特基二極管、快恢復二極管上具有穩定的營收，并在大力研發、推廣碳化硅二極管產品。

根據中商情報網報道，目前整體二極管市場相對分散，行業第一的 Vishay 份額超10%，其余占比均較低，大陸和中國臺灣廠商有望憑借低成本優勢以及產業扶持政策逐步占據市場，成為功率器件中率先突破的子領域。

2021 年國內功率二極管市場規模約為 8672 萬美元。

根據 IHS、中商產業研究院數據，2017-2020 年，全球功率二極管的市場份額分別為 4297 萬美元、4905 萬美元、4326 萬美元、3938 萬美元。

而中國功率二極管的市場份額則為 1444 萬美元、1617 萬美元、1439 萬美元、1307 萬美元。

市場規模的下跌主要原因是受疫情影響，全球半導體市場需求下降，2021 年疫情開始恢復，產能也開始上升。

根據 IHS 預測，2021 年全球功率二極管市場份額約為 4047 萬美元，增長 2.7%，中國市場份額約為 1344 萬 美元，增長 2.8%。

圖表 12：功率二極管細分及典型應用領域 圖表 13：近年來功率二極管市場變化

（2）MOSFET：2021 年國內 MOSFET 市場規模約為 277 億元

高頻領域應用，按功率劃分層次。MOS 管最顯著的特性是開關特性好，如導通電阻小，損耗低，驅動電路簡單，熱阻特性好等優點，特別適合用于電腦、手機、移動電源、車載導航、電動交通工具、UPS 電源等電源控制領域。

不同的工藝會使得 MOSFET 耐壓和工作頻率及功率不同，進而影響其適用的工作領域，但根據下游場景所需電壓，一般認為應用電 壓低于 100V 的 MOSFET 為中低壓 MOSFET,一般用于消費級應用；高于 500V 為高壓 MOSFET，一般用于汽車、航空應用。

另外根據不同功率 MOSFET 的行業特性以及與上下游關系將功率 MOSFET 分為了低端、中端和高端三個層次。

MOSFET：2021 年國內市場規模約 43 億美元，行業增速 10%左右。

功率半導體行業是一個需求驅動型的行業，其中MOSFET 由于輸入阻抗高、控制功率小、開關速度快、開關損耗小，主要用于10KHz 以上以及輸出功率 5KW 以下的應用，是功率分立器件占比最大份額品種，根據 IHS Markit 統計，2018年我國 MOSFET 市場規模約為27.92 億美元，2016年-2018年增長率為15.03%，高于功率半導體行業平均的增速，且隨著汽車電子化比重提升以及手機快充、物聯網（IoT）新應用的發展，MOSFET用量和增速大幅提高，我們保守假設由于基數原因復合增速放緩但仍保持約 10%，則預計2021年國內MOSFET 市場規模約為 43 億美元約 277 億元。

在汽車電子領域，MOSFET 在電動馬達輔助驅動、電動助力轉向及電制動等動力控制系統，以及電池管理系統等功率變換模塊領域均發揮重要作用。

在消費電子領域，主板、顯卡的升級換代、快充、Type-C 接口的持續滲透持續帶動 MOSFET 的市場需求。

（4）IGBT：2025 年國內市場規模可達 522 億元

IGBT 細分不同的品類。IGBT 是國際上公認的電力電子技術第三次革命具代表性的產品，是工業控制及自動化領域的核心元器件，IGBT 的種類眾多，綜合 IGBT 原理和作用，可將 IGBT 根據電壓等級劃分為低壓、中壓和高壓 IGBT。

IGBT 可分為單管、模塊和智能功率模塊（IPM,將 IGBT 芯 片、FRD 芯片、驅動電路、保護電路、檢測電路等集成在同一個模塊內）三類產品，根據華經情報網數據，2018 年 IGBT 模塊、IGBT 單管和 IPM 市場規模占比分別約 52%、21%和 27%，三者生產制造技術和下游應用場景 均有所差異單管主要應用于小功率家用電器、分布式光伏逆變器及小功率變頻器，標準模塊主要應用于大功率工業變頻器、電焊機、新能源汽車（電機控制器、車載空調、充電樁）等領域，IPM 模塊主要應用于變頻空調、變頻洗衣機等白色家電。

市場規模上升，國產化趨勢明顯。

長期以來，IGBT 市場一直被英飛凌、三菱、富士電機、安森美等少數供應商所壟斷，缺貨漲價更是持續了較長時間，業內甚至一度傳出 IGBT 供貨周期延長至 52 周。

目前，政府對半導體產業的支持力度非常大，在未來的 3-5 年內，國內 IGBT 產品設計和工藝制造能力會得到大力提高。

根據集邦咨詢預測，受益于新能源汽車和工業領域的需求大幅增加，中國 IGBT 市場規模將持續增長，到 2025 年，中國 IGBT 市場規模將達到 522 億人民幣，2018-2025 年復合增長率達 19.15%。

2.3 短期受益供需緊張帶來漲價，中長期受益國產替代

短期趨勢：功率半導體供不應求，行業漲價有望持續超預期。2020年疫情恢復以來，以車用、電動工具、光伏、LED等為代表的功率半導體市場需求強勁，疊加全球晶圓制造8寸產能供應緊張，功率半導體市場供不應求，缺貨漲價頻繁發生，根據SEMI發布的最新報告顯示，全球半導體制造商有望從2020年到2024年將200mm晶圓廠的產能提高17％，達到每月660萬片晶圓的歷史新高，其中復合增速為4%，我們預計供需緊張將維持1-2年。

功率半導體龍頭公司紛紛宣布提價：

5 月中旬，安森美宣布上調部分產品型號價格，定價周期于 7 月 10 日生效；比亞迪半導體宣布從 7 月 1 日起對 IPM、IGBT 單管產品進行價格調整，提漲幅度不低于 5%；聞泰科技并購的安世半導體也發布通知，宣布于 6 月 7 日提高產品價格。

2021 年 7 月 29 日報道第一財經援引 IC 分銷平臺貿澤電子等網站的實時數據顯示，目前聞泰科技旗下的安世半導體的 MOSFET 器件中，已有包括 MOSFET、GaNFET、功率 MOSFET 等在內的 144 款產品處于無庫存狀態，缺貨產品的交貨周期均已長達 69 周，而產品的漲價幅度從 6%到 37%不等。

中長期趨勢：國產廠家加強競爭，國產替代加快。

半導體行業周期性的特征，使得國內廠商在海外供應商無法供貨的情況下有供貨的機會，國 內廠商發展進程加快。

芯片外采比例逐步降低，自研比例逐步提升，國內本土企業提供從源頭設計定制的器件，為客戶進行客制化服務，使客戶可以不選擇昂貴并且功能冗余的國外產品。

產品國產替代的應用領域從可靠性要求低，低電壓的變頻家電和傳統工業，逐步向可靠性要求高，中高電壓的新能源變電、汽車領域升級。

（1）MOS 市場格局：國內市占率不到 15%

Mos 國產市占率目前不到 15%，替代空間大。

國內功率半導體近幾年隨著光伏、消費電子等發展迅速，但產品主要集中在二極管、低壓 Mos 器件、晶閘管等低端領域，生產工藝成熟且具有成本優勢，但在新能源汽車、航空、軌道交通等高端產品領域，國內僅有極少數廠商擁有生產能力，目前高端產品市場主要被英飛凌、安森美、瑞薩、東芝等歐美日廠商所壟斷；

根據 IHS 的數據，2018 年全球 MOSFET 市場中英飛凌與安森美兩家占比 41%，而 2018 年國內 MOSFET 國內市場銷售份額中，英飛凌與安森美兩家外資廠商占比達到 45.3%，國內廠商中僅華潤微位于前十占有率到 8.7%、新潔能市占率約 3.6%，疊加其他國內廠家我們預計國產市占率不到 15%。

隨著國內下游需求疊加外資廠商相繼退出中低壓 MOSFET 產品，MOSFET 迎國產替代黃金時期，我們認為短期內設計廠商相較于 IDM 廠商更容易把握“進口替代”進程，取得快速發展。

（2）IGBT 市場格局：國內市占率不到 20%

IGBT 市場：根據智研咨詢數據，自 2015 年以來，我國 IGBT 自給率超過 10%并逐漸增長，在 IGBT 模塊市場，2019 年全球市場份額前五位的企業分別為英飛凌、三菱電機、富士電機、賽米控和日立功率，合計占據了 69.8%的市場份額。

而根據華經情報網，國內市場 IGBT 模塊市占率不到 20%，主要企業包括采用 IDM 模式的中車時代、比亞迪、士蘭微、華微電子等企業，以及具備設計和模塊封測的企業，比如斯達半導、宏微科技、臺基股份等。

2018 年 IPM 市場國內占比僅 0.5%：

智能功率模塊 IPM 廣泛用于驅 動電機，根據 Omdia，2018 年 IPM 供應商市場份額（%）報道，2018 年，IPM 全球 80%的 IPM 市場被 5 家廠商所占有，其中僅三菱一家就占據三分之一的市場份額，安森美緊隨其后占據 18.9%市場份額，英飛凌占據 12.0%。國內僅華微電子占有 0.5%的市場份額。

市場占比前十的廠商中，有 4 家為日系企業，2 家為德系企業，2 家為美系企業，1 家為瑞士企業，僅 1 家為國產企業。目前，國產廠商華微電子、士蘭微等通過增加自研能力，優化供應速度來爭奪國內市場。

三、華微電子：老牌 IDM，MOS 和 IGBT 升級帶來成長

3.1 老牌廠商技術扎實，客戶群體穩定

老牌廠商多年深耕功率半導體，技術扎實。

作為國內第一家上市的功率半導體公司，公司經過五十多年的不斷積累、完善提升，已成為國內技術領先、產品種類齊全的功率半導體器件IDM公司，公司同時擁有多項功率器件領域的核心專利，涵蓋產品設計、工藝制造、封裝和 IPM 模塊，被評為國家、省級技術創新型企業。

先進、成熟的工藝技術平臺、高品質的產品、迅捷專業的服務，為企業贏得了良好的市場口碑。

公司在功率半導體的多個領域內具有深厚的技術積累。

超結 MOSFET：完成 8 寸超級 MOSFET 平臺建設及系列化，拓展公司在電源領域的產品市場份額。

IGBT：拓展白色家電、工業變頻、UPS 和新能源領域 IGBT 產品的份額；開發新一代 TrenchFS IGBT 產品和逆導型 IGBT 產品平臺；豐富 PM 和 IPM 模塊產品，并積極推進在工業和家電內的市場應用。

CCT MOS：建立 80V、100V、150V CCT MOS 的 8 寸工藝平臺，進一步降低產品導通電阻，拓展電源領域和電池保護（BMS 領域）的應用。

超高壓 FRD：建立 3300V、4500V 超高反壓快恢復二極管，推動超高壓 FRD 模塊的市場推廣,為 FRD 和 IGBT 產品進入軌道交通、電網等領域奠定基礎。

可控硅產品：進行平面可控硅產品的系列化及在白色家電和漏電保護領域的產品推廣。

TVS 和齊納二極管：開發 TVS 和齊納二極管類產品工藝平臺，提升公司產品配套能力。

第三代半導體：開發 SiC SBD 產品和 650V GaN 器件，實現在工業電源和快充領域的應用。

客戶覆蓋國內知名客戶。公司利用信息技術和互聯網技術實現了對客戶的整合營銷，基于對客戶的價值管理原則，通過一對一營銷方式，滿足不同客戶的需求，達到了客戶結構調整和產品結構調整的目的。

公司已具備成熟的計劃體系和生產系統以保證訂單及時交付率及客戶滿意度。

公司與供應商、客戶建立的長期友好合作關系有利于提高生產效率，優化生產周期，提升運營質量。多年來，華微電子為眾多國內外知名企業長期提供功率半導體器件，合作伙伴遍布海內外。

3.2 IGBT、IPM、MOS 三大產品升級帶來持續拉動

（1）IGBT 模塊在研第五代 GenTrench-FS 產品

華微電子于 2008 年開始研制第一代 IGBT 芯片，是國內率先量產 IGBT 產品的企業之一，迄今為止已研發出四代 IGBT 芯片。

第四代 IGBT 芯片采用國際先進的 Trench FS 技術，相應的 IGBT 產品在各領域廣泛應用， 擁有良好的口碑。

根據公司公告，公司正在開發新一代 Trench FS IGBT 產品和逆導型 IGBT 產品平臺，且加大拓展在白色家電、工業變頻、UPS 和新能源領域 IGBT 產品的份額。

IGBT 部分領域領先，未來往汽車等高階領域拓展。

目前公司 IGBT 主要應用在變頻家電、工業變頻、光伏領域、電磁爐、電焊機、電動汽車等 領域，其中部分領域如高端電焊機領域公司的 600V、1200V 變頻 IGBT 分立器件具備低功耗以及更安全的并聯操作和更高的魯棒性和可靠性，未來的成長一方面是繼續拓展白色家電、工業變頻、UPS 和新能源領域 IGBT 產品的份額；另外部分是開發新一代 Trench FS IGBT 產品和逆導型 IGBT 產品平臺有望進入汽車電力機車、動車組等高端領域。

（2）IPM 模塊：立足先發優勢，不斷加大家電等客戶導入

傳統 IGBT 等分立功率半導體器件向 IPM 升級。與分立方案相比，智能功率模塊（IPM）在減少占板空間、提升系統可靠性、簡化設計和加速產品上市等方面都具有無可比擬的優勢。IPM 作為先進的混合集成功率器件，使用 IPM 可以使生產廠家降低在設計、開發和制造上的成本。

與普通 IGBT 相比，在系統性能和可靠性上有進一步的提升。由于 IPM 集成了驅動和保護電路，使得用戶的產品設計變的相對容易，并能縮短開發周期；由于 IPM 通態損耗和開關損耗都比較低，使得散熱器減小，因而系統尺寸也減小；所有的 IPM 均采用同樣的標準化與邏輯電平控制電路相聯的控制接口，在產品系列擴充時無需另行設計電路。

IPM 在故障情況下的自保護能力，也減少了器件在開發和使用中過載情況下的損壞機會。

布局 IPM 多年，打開中長期市場空間。

華微電子智能功率板塊是 2013 年建立，主要由華微電子控股子公司吉林華微斯帕克來主導。

華微斯帕克以建立國內最大的智能功率模塊研發、制造及銷售公司為目標，吸引了一批從三洋、IR 等出來的擁有十幾年工作經驗的專業團隊加盟。

工廠建筑面積 3500 平方米，現有員工 60 人，公司的 IPM 封裝平臺，已經完成全系列產品開發，在白色家電、工業領域已形成品牌口碑和規模優勢。

公司目前在白色家電、工業領域已形成品牌口碑和規模優勢；

近年來，國產 IPM 增速較快，根據 Omida 數據指出，2019 年吉林華微電子的 IPM 排在全球第十位，現階段斯帕克電氣以工業通用變頻器及家用電器為基礎市場進行 IPM 的推廣，得到業界主流企業的關注和合作，并構成了以 2A 至 50A 600V 小功率智能功率模塊系列產品的完整布局。

（3）MOSFET：從低壓 MOS 到高壓 MOS 不斷進階

低壓領域：

公司最早于 2010 年布局 MOS，其中 2013 年發明第一代低壓 MOS 溝槽產品，應用場景從針對逆變器、UPS 領域開發的平面網格單胞 200V 產品到 LCD TV、LED 照明領域、以及第一代 Trench MOSFET 的電動自動車的 70V/75V 產品和第二代 Trench 低壓的電機驅動 75V/80V/100V產品，公司在 80V-100V CCT MOS 產品具備低柵極電荷、低 RDSON；低功耗、高效率；良好的溫度特性；高抗 DV/dt 能力；

開關速度快等特點：

而高壓領域：高壓 MOS 產品在原有 JMC、JMH、JMT 產品基礎上，成功開發了 JME 和 JMEI 新的系列產品，新產品的效率更好溫升更低。

華微電子 MOSFET 主要應用在電視、電動工具、LED 照明、逆變器、電動車充電器、HID 燈、電動自行車控制器、PC 電源、DVD 電源、電子鎮流器、逆變焊機、UPS、跑步機、手機充電器、適配器、風扇、工業電源等領域，公司未來成長：

（1）一方面是建立 80V、100V、150V CCT MOS 的 8 寸工藝平臺，進一步降低產品導通電阻，拓展電源領域和電池保護（BMS領域）的應用；

（2）另一方面是完成 8 寸超級 MOSFET 平臺建設及系列化拓展公司在電源領域的產品市場份額。

3.3 產能國內領先，8 寸等新產能帶來新空間

產能處于業內領先水平，8 寸釋放有望帶來新空間。

公司具備國內領先的制造能力，根據公告，公司擁有 4 英寸、5 英寸、6 英寸與 8 英寸等多 條功率半導體晶圓生產線，2020 年，各尺寸晶圓生產能力為 400 萬片/年，封裝資源為 24 億只/年，IPM 模塊封裝能力為 1800 萬塊/年，處于國內同行業的領先地位；

另外為滿足產能需要和市場需求，公司于2017年開始建設 8 英寸生產線，并于2020年6月投入使用，在當下產能稀缺背景下，預計后續釋放有望帶來新的業績增厚空間；

同時公司抓住產品升級如 IPM 國產替代機遇，投資102億在吉林省吉林市建設半導體產業 園，于高新北區規劃建設第三代半導體材料器件生產基地。

四、盈利預測及估值

營收拆分預測：

我們預測公司 2021-2022-2023 年營業總收入分別為 21.25、26.52、34.16 億元，同比分別增 23.7%、24.8%、28.8%，綜合毛利率為 21.62%、22.14%、22.67%。

業績預測及估值：

我們預測公司 2021-2022 年營業收入分別為 21.25、26.52 億元，同比分別增 23.7%、24.8%，歸母凈利潤分別 0.76、1.05 億元，分別同比增長 124%、38%，對應 2021-2022 年 PE 為 108、78，考慮公司布局為老牌 IDM 龍頭，IGBT、IPM、MOSFET 等產品逐步升級，同時考慮業績穩健性及國產替代持續性。

風險提示

國產替代低于預期：

功率半導體目前國內市占率較低，離 2025 年規劃實現芯片自主率 50%，但部分在中高端產品和國外存在一定差距，公司可能在功率半導體部分存在國產替代進度不及預期風險。

產能釋放和毛利率漲幅不及預期：

公司主要從事 IDM，可能存在受設備零部件制約帶來的產能緊缺，公司在 2017 年有過漲價并帶來毛利率快速提升，2021/2022 年可能存在漲價幅度以及毛利率進度低于預期風險。

行業空間測算偏差風險：

本文對功率器件、IGBT 等市場空間測算偏差基于一定前提假設，存在實際達不到，不及預期的風險。

研報信息更新不及時風險：

研究報告使用的公開資料可能存在信息滯后或更新不及時的風險。

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拓展知識：