內存供電芯片用萬用表怎么檢測(萬用表檢測內存條)

前沿拓展：

內存供電芯片用萬用表怎么檢測

測阻值。
測有時鐘輸入、無時鐘輸入(芯片壞)。
北橋芯片損壞多鼓起來一點。
3.3V對地短路多為BGA故障、I/O芯片、時鐘發生器、電源IC。
DBSY(數據忙信號):拆理BIOS，插上CPU(三大條件滿足)，測無波，北橋壞。
新板故障多為:電源IC，I/O部分，BIOS。舊板故障多為:南橋(FX、VX)，BIOS，
I/O。
數碼卡的檢測實例:
07-09 死機; 08-09 內存有問題;01、04 除了內存條以外的主板沒有開機;
01-11 都與內存有關系;╩ 顯卡有問題;U1-U6 不讀內存C1、C6;
05-07 KEYBOARD有問題;4b 有顯示;b9 除bus外，還有可能北橋，內存有問題。
╘B、╘5 內存有問題(北橋部分);53-54 開機，但不讀內存，之前不開機;
╩ 顯示部分短路;08-25 查北橋P部分;07 RTC

有顯示后，屏幕提示的故障:
CPU頻率錯:查跳線、設置、時鐘頻率等
內存容量報錯:內存槽接觸不良、北橋虛焊或壞 查內存槽的數據、地址、控制線(阻值和波型)
硬盤控制錯或不讀硬盤:1、查硬盤接口上的RESET信號或IDE各個引腳的對地阻值。2、查跟IDE相聯系的244，245或排阻。3、南橋
軟驅不讀或報錯:1、查軟驅接口的對地阻值。2、I/O芯片 3、南橋
鍵盤無作用:查RESET，CLK，DATA，+5V及其相關的線路如鍵盤插口和供電的小電感、保險
或I/O 芯片或南橋內部
COM口 無作用:75232的+-12V， I/O芯片，或芯片的供電
并行口無作用:查I/O芯片，和南橋
COM口和并行口還可以用CHECK IT 軟件查故障所在
PS-2的鼠標無作用: 供電腳 I/O和南橋

聲卡維修
1、 不2、 能檢測:查供電，3、 主芯片，4、 晶振。
5、 CD有聲，6、 VCD無聲→多為聲卡上的主芯片壞。
7、 CD無聲，8、 但能檢測→功放IC壞。
9、 CD噪聲大→多為功放IC周邊電容損壞。
供電 BGA→3.3V供電。
功放IC→多為虎作倀2025，1819IC。
聲卡→為5V供電。
10、 不11、 能裝聲卡驅動程序，12、 或驅動不13、 了聲卡，14、 但能檢測到聲卡，15、 多為聲卡上用的是打磨的IC(BGA、主芯片)，16、 此時應用原裝盤驅動此聲卡。
顯卡維修
不顯示(一點反應都沒有，屏幕上):應查主IC供電，不對為IC本身壞，或BIOS不對或壞。

②壞
可插拔顯存 花屏

①壞
白光
輸出端

晶振 輸入端
從PCI槽或AGP槽的各腳獲得

AGP槽無OSC(實時時鐘信號)

1、顯卡不顯卡:查供電，BIOS，晶振。
2、花屏:顯存②壞或BIOS不對，加速端顯存壞，主芯片壞，晶振壞。
3、白光:顯存①壞。
變色:主芯片或①②顯存或活動顯存壞→可先拔下活動顯存查看。
偏色:三其色不對→主芯片壞。
缺色:主芯片輸出端電阻或保險(電感)壞。
注:主板上和聲卡，顯卡上的保險都是用電感L，電阻R來代替。
維修要點

BIOS作用:BIOS是開機初始化，檢測系統安裝設備類型，數量等。
RESET的產生過程:PG→(門電路，南橋)→RESET復位(ISA槽B2腳，PCI槽A8腳，AGP槽B4腳，IDE的確1腳)
CLK產生過程晶振 門電路 南橋 ISA 20腳 PCI 的D8 AGP的D4 OSC 基本時鐘 開電就有，直接送到ISA的B30，如沒有OSC 則時鐘發生器壞
主板不能觸發 電源排線的灰線經過一個三極管或門電路(244，245)受IO芯片控制和南橋，再從IO 和南橋到PW-ON 插針。(ATX 電源可以強行短路8腳與地來觸發主板)
判斷主板的故障時，一定要測CPU 三組電壓3.3V 1.5V 2V RESET,SCLK,內存供電3.3V,是否正常,再看其他的原因.
實時時鐘的晶振壞 只是時間不走.
CPU旁邊的兩個大管當不上CPU 時,可能無電壓輸出,插上CPU,應有3.3V和1.5V給CPU 剩下的2.0V 內核由旁邊的一個小管子供給.
有些SCLK 信號不經過南橋,直接到CPU 腳和AGP.PCI
電源插座(主板上)各電壓通向哪里?掌握RESET、CLK、READY、PG信號產生RESET、PG→時鐘發生器→CPU(RESET)。主板上印制線曲曲折:是為了滿足信號同步的需要。
10.BIOS的22腳CS(片選)由CPU產生→北橋→南橋→BIOS的22腳。
11.若診斷卡跳C1-C6，U1-U6表示不讀內存①首先看內存是否有短路，接觸不良。②查內存的RAS，CAS，CS，VCC。
12.若不能觸發，查灰線→經過電阻，電容→7414門電路→南橋→ISAB02，PCID8，CPU。
13.若橙線性3.3V對地適中多為BGA故障①BGA，②I/O芯片，③時鐘發生器，④電源IC。
14.DBSY(370CPU上就有)→數據忙信號:拆下BIOS，插上CPU，測若無波，北橋壞，前提是(CLK，RESET，VCC)都具備。CPU上的CLK是時鐘發生器經過北橋到CPU座上的。
15.新板故障多在①電源IC②I/O芯片③BIOS。舊板故障多在①南橋(FX，VX )②BIOS③I/O芯片。
16.不能顯示①電源部分②時鐘發生器③I/O芯片。
17.IDE不能檢測→多是IDE口旁邊小排壞了。
18.開機不顯示→CPU可工作(即POST顯示到達26)→BIOS壞(換)。
19.PⅡ，PⅢ死機①主芯片散熱不良②時鐘發生器或晶振壞③CPU供電不正常④CPU座接觸不良。
20.電源插座上綠色線5V，一路到I/O芯片，一路經過門電路到南橋。
21.待命電壓由電源紫色線→電容，電阻→一路到I/O芯片，一路到南橋，一路到北橋。
注:待命電壓5V，只要是電源插頭插到主板上，北橋，南橋或I/O芯片就有5V電壓，主板如果不觸發它，南北橋不應有溫度。
22.I/O芯片也有幾腳連接到北橋。
23.CPU發出CS(片選)信號→北橋→南橋→BIOS22腳，當BIOS的22腳收到CS信號后，24腳就輸出一個OE(允許輸出)信號。
24.檢查RESET復位信號故障時，不但要檢測時鐘信號產生電路，不要檢測PG信號和RC電路。
25.①內存二排二行10腳CS片選是由北橋提供的。②BIOS22腳上的CS產生過程是由CPU→北橋→南橋→BIOS的22腳。

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DDR2上有三根--ODT\CAS\OCD的作用

DDR2三項新的技術，它們是 OCD、ODT和 Post CAS。OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅動調整，DDR II 通過 OCD 可以提高信號的完整性。DDRII 通過調整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用 OCD 通過減少 DQ-DQS 的傾斜來提高信號的完整性；通過控制電壓來提高信號品質。不過，OCD 技術在普通的應用領域所發揮的作用并不明顯，而在服務器上使用，它的功能才能被充分發揮出來。ODT：ODT 是內建核心的終結電阻器。我們知道使用 DDR SDRAM 的主板上面為了防止數據線終端反射信號需要大量的終結電阻。它大大增加了主板的制造成本。實際上，不同的內存模組對終結電路的要求是不一樣的，終結電阻的大小決定了數據線的信號比和反射率，終結電阻小則數據線信號反射低但是信噪比也較低；終結電阻高，則數據線的信噪比高，但是信號反射也會增加。因此主板上的終結電阻并不能非常好的匹配內存模組，還會在一定程度上影響信號品質。DDR2 可以根據自已的特點內建合適的終結電阻這樣可以保證最佳的信號波形。使用 DDR2 不但可以降低主板成本，還得到了最佳的信號品質，這是 DDR 不能比擬的。

Post CAS：它是為了提高 DDR II 內存的利用效率而設定的。在 Post CAS 操作中，CAS 信號（讀寫/命令）能夠被插到 RAS 信號后面的一個時鐘周期，CAS 命令可以在附加延遲（Additive Latency）后面保持有效。原來的 tRCD（RAS 到 CAS 和延遲）被 AL（Additive Latency）所取代，AL 可以在 0，1，2，3，4中進行設置。由于 CAS 信號放在了 RAS 信號后面一個時鐘周期，因此 ACT 和 CAS 信號永遠也不會產生碰撞沖突。不過要注意的是，Posted CAS 功能的優勢只有在那些讀寫命令非常頻繁的運作環境下才能體現，對于一般的應用來說，開啟 Posted CAS 功能反而會降低系統的整體性能。

出于兼容性的考慮，DDR2 標準在制定之初似乎顯得有些縮手縮腳，這也直接導致其各方面表現比起DDR 沒有長足進步。新一代的 DDR3 采用了 ODT（核心整合終結器）技術以及用于優化性能的 EMRS 技術，同時也允許輸入時鐘異步。在針腳定義方面，DDR3 表現出很強的獨立性，甚至敢于徹底拋棄 TSOPII 與 mBGA封裝形式，采用更為先進的 FBGA 封裝。DDRIII 內存用了 0.08 微米制造工藝制造，將工作在 1.5V 的電壓下。

DDR2 芯片內部終結 ODT 技術解析

經常有人會說支持 DDR2 的主板存在偷工減料的現象。事實上這是由于 DDR2 內存中使用了一項新的 ODT 技術，它可以在提高內存信號穩定性的基礎上節省不少電器元件。主板終結是一種最為常見的終結主板內干擾信號的方法。在每一條信號傳輸路徑的末端，都會安置一個終結電阻，它具備一定的阻值可以吸收反射回來的電子。但是目前 DDR2 內存的工作頻率太高了，這種主板終結的方法并不能有效的阻止干擾信號。若硬要采用主板終結的方法得到純凈的 DDR2 時鐘信號會花費巨額的制造成本。ODT 是 On-Die Termination 的縮寫，其意思為內部核心終結。從 DDR2 內存開始內部集成了終結電阻器，主板上的終結電路被移植到了內存芯片中。在內存芯片工作時系統會把終結電阻器屏蔽，而對于暫時不工作的內存芯片則打開終結電阻器以減少信號的反射。由此 DDR2 內存控制器可以通過 ODT 同時管理所有內存引腳的信號終結。并且阻抗值也可以有多種選擇。如 0Ω、50Ω、75Ω、150Ω等等。并且內存控制器可以根據系統內干擾信號的強度自動調整阻值的大小。

其實 ODT 技術的具體內部構造并不十分復雜。在內存各種引腳與內存模組的內部緩沖器中間設有一個 EMRS 擴展模式寄存器，通過其內部的一個控制引腳可以控制 ODT 的阻抗值。系統可以使用 2bit 地址來定義 ODT 的四種工作狀態。（0Ω、50Ω、75Ω、150Ω）一旦 ODT 接到一個設置指令，它就會一直保持這個阻值狀態。直到接到另一個設置指令才會轉換到另一種阻值狀態。

當向內存寫入數據時，如果只有一條內存，那么這條內存就自己進行信號的終結，終結電阻等效為150Ω。如果為兩條內存，那么他們會交錯的進行信號的終結。第一個模組工作時，第二個模組進行終結操作，等第二個模組工作時，第一個模組進行終結操作，但等效電阻為 75Ω。當有三條內存的時候，三條會交替進行信號終結，但等效電阻為 50Ω。

整個 ODT 的設置和控制都要通過 EMRS 中那個控制引腳來完成。因此這個引腳的響應速度成為了ODT 技術中的關鍵因素。ODT 工作時有兩種基本模式：斷電模式和其他模式。其中其他模式還包括激活模式和備用模式。ODT 從工作到關閉所用的時差叫做 tAONPD 延遲，最少僅 2 個時鐘周期就可以完成，最多 5 個時鐘周期。ODT 從關閉到工作所用的時差叫做 tAOFPD 延遲，最少僅 2 個時鐘周期完成，最大需要五個時鐘周期。由于開啟和休眠的切換如此迅速，內存可以在不影響性能的前提下充分的進行"休息"。

ODT 技術的優勢非常明顯。第一，去掉了主板上的終結電阻器等電器元件，這樣會大大降低主板的制造成本，并且也使主板的設計更加簡潔。第二，由于它可以迅速的開啟和關閉空閑的內存芯片，在很大程度上減少了內存閑置時的功率消耗。第三，芯片內部終結也要比主板終結更及時有效，從而減少了內存的延遲等待時間。這也使得進一步提高 DDR2 內存的工作頻率成為可能。

目前 DDR2 尚未完全取代 DDR 內存，在目前的整機環境下，DDR2 基本能夠滿足各類型計算機的應用需求，那么最新一代的 DDR3 相比 DDR2 具有哪些優勢，使得包括 Intel 和 AMD 以及 A-DATA 在內的眾多國際頂級廠商都致力于 DDR3 的開發與應用呢？最主要的原因是，由于 DDR2 的數據傳輸頻率發展到 800MHz 時，其內核工作頻率已經達到了 200MHz，因此，再向上提升較為困難，這就需要釆用新的技術來保證速度的可持續發展性。另外，也是由于速度提高的緣故，內存的地址/命令與控制總線需要 有全新的拓樸結構，而且業界也要求內存要具有更低的能耗。

DDR2 內存能夠取代 DDR 內存，不僅是因為帶寬上的優勢，還有非常重要的一條，那就是 DDR2 在節能上比 DDR 更有優勢。同樣的，DDR3 的低功耗特性對于移動設備來說意義重大，功耗降低可以顯著延長設備電池的續航能力。英特爾在(今年)春季的 IDF 峰會上就對分別搭載 DDR2 與 DDR3 的移動機型做了對比，在高清視頻播放模式下，DDR3 機型的電池時間可比同配置 DDR2 機型高出 20～30 分鐘，節能效果十分顯著。

DDR3 的低功耗主要得益于較低的核心電壓，第一代 DDR 內存的核心電壓達到 2.5V，DDR2 降低到 1.8V，而 DDR3 則進一步降低到 1.5V；此外，I/O Buffer 也采用低功耗設計，I/O Driver 的阻值從DDR2 的 34 歐姆降低到 18 歐姆，這也可以帶來明顯的功耗降低——整體而言，DDR3 內存擁有更為出色的帶寬功耗比(Bandwitdh per watt，每瓦能耗的帶寬指標)，假設 DDR2 800 的功耗/帶寬比為參照點 1，那么 DDR3 800 的比值就只有 0.72，相當于在相同帶寬前提下，DDR3 800 的功耗和 DDR2 800相比有 28%的降幅；即便是更高性能的 DDR3 1066、它的比值也只提升到 0.83，功耗降幅也達到 17%。因此，從 DDR2 升級到 DDR3，內存系統的功耗將明顯降低，移動設備也可因此獲得更長的電池續航力。Intel 最新的 965 芯片組家族只支持 DDR2，并放棄了對 DDR 的支持。AMD 方面則要積極得多， AMD計劃在下一代的 K8L 架構 CPU 中全面導入對 DDR3 內存的支持。在 AMD 的路線圖看，K8L CPU 將支持同時 DDR2 和 DDR3 內存，但很顯然，DDR2 內存不是 AMD 最好的選擇，高頻率、低時序的 DDR3 內存必然會是 AMD 積極開拓的對象。

從規格來看，DDR3 仍將沿用 FBGA 封裝方式，故在生產上與 DDR2 內存區別不大。但是由設計的角度上來看，因 DDR3 的起跳工作頻率在 1066MHz，這在電路布局上將是一大挑戰，特別是電磁干擾，因此也將反映到 PCB 上增加模塊的成本。預計在 DDR3 進入市場初期，其價格將是一大阻礙，而隨著逐步的普及，產量的提升才能進一步降低成本。

DDR3 內存的新增功能，DDR3 內存還有部分 DDR2 內存所不具備的功能，正是這些，讓 DDR3 內存的表現有了根本性的提高

重置（Reset）

重置是 DDR3 新增的一項重要功能，并為此專門準備了一個引腳。DRAM 業界已經很早以前就要求增這一功能，如今終于在 DDR3 身上實現。這一引腳將使 DDR3 的初始化處理變得簡單。當 Reset 命令有效時，DDR3 內存將停止所有的操作，并切換至最少量活動的狀態，以節約電力。在 Reset 期間，DDR3內存將關閉內在的大部分功能，所以有數據接收與發送器都將關閉。所有內部的程序裝置將復位，DLL（延遲鎖相環路）與時鐘電路將停止工作，而且不理睬數據總線上的任何動靜。這樣一來，將使 DDR3 達到最節省電力的目的。

ZQ 校準ZQ 也是一個新增的腳，在這個引腳上接有一個 240 歐姆的低公差參考電阻。這個引腳通過一個命令集，通過片上校準引擎（ODCE，On-Die Calibration Engine）來自動校驗數據輸出驅動器導通電阻與ODT 的終結電阻值。當系統發出這一指令之后，將用相應的時鐘周期（在加電與初始化之后用 512 個時鐘周期，在退出自刷新操作后用 256 時鐘周期、在其他情況下用 64 個時鐘周期）對導通電阻和 ODT 電阻進行重新校準。

參考電壓分成兩個

對于內存系統工作非常重要的參考電壓信號 VREF，在 DDR3 系統中將分為兩個信號。一個是為命令與地址信號服務的 VREFCA，另一為數據總線服務的 VREFDQ，它將有效的提高系統數據總線的信噪等級。

根據溫度自動自刷新（SRT，Self-Refresh Temperature）

為了保證所保存的數據不丟失，DRAM 必須定時進行刷新，DDR3 也不例外。不過，為了最大的節省電力，DDR3 采用了一種新型的自動自刷新設計（ASR，Automatic Self-Refresh）。當開始 ASR 之后，將通過一個內置于 DRAM 芯片的溫度傳感器來控制刷新的頻率，因為刷新頻率高的話，消電就大，溫度也隨之升高。而溫度傳感器則在保證數據不丟失的情況下，盡量減少刷新頻率，降低工作溫度。不過 DDR3的 ASR 是可選設計，并不見得市場上的 DDR3 內存都支持這一功能，因此還有一個附加的功能就是自刷新溫度范圍（SRT，Self-Refresh Temperature）。通過模式寄存器，可以選擇兩個溫度范圍，一個是普通的的溫度范圍（例如 0℃至 85℃），另一個是擴展溫度范圍，比如最高到 95℃。對于 DRAM 內部設定的這兩種溫度范圍，DRAM 將以恒定的頻率和電流進行刷新操作。

局部自刷新（RASR，Partial Array Self-Refresh）

這是 DDR3 的一個可選項，通過這一功能，DDR3 內存芯片可以只刷新部分邏輯 Bank，而不是全部刷新，從而最大限度的減少因自刷新產生的電力消耗。這一點與移動型內存（Mobile DRAM）的設計很相似。

點對點連接（P2P，Point-to-Point）

這是為了提高系統性能而進行了重要改動，也是與 DDR2 系統的一個關鍵區別。在 DDR3 系統中，一個內存控制器將只與一個內存通道打交道，而且這個內存通道只能一個插槽。因此內存控制器與 DDR3內存模組之間是點對點（P2P，Point-to-Point）的關系（單物理 Bank 的模組），或者是點對雙點（P22P，Point-to-two-Point）的關系（雙物理 Bank 的模組），從而大大減輕了地址/命令/控制與數據總線的負載。而在內存模組方面，與 DDR2 的類別相類似，也有標準 DIMM（臺式 PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（服務器）之分，其中第二代 FB-DIMM 將采用規格更高的 AMB2（高級內存緩沖器）。不過目前有關 DDR3 內存模組的標準制定工作剛開始，引腳設計還沒有最終確定。此外，DDR3還在功耗管理，多用途寄存器方面有不少新的設計。

BGA 封裝

BGA 技術（Ball Grid Array Package）即球柵陣列封裝技術。BGA 封裝的 I/O 端子以圓形或柱狀焊點按陣列形式分布在封裝下面，BGA 技術的優點是 I/O 引腳數雖然增加了，但引腳間距并沒有減小反而增加了，從而提高了組裝成品率；雖然它的功耗增加，但 BGA 能用可控塌陷芯片法焊接，從而可以改善它的電熱性能；厚度和重量都較以前的封裝技術有所減少；寄生參數減小，信號傳輸延遲小，使用頻率大大提高；組裝可用共面焊接，可靠性高。

BGA 封裝技術可詳分為五大類：

1.PBGA（Plasric BGA）基板：一般為 2-4 層有機材料構成的多層板。Intel 系列 CPU 中，PentiumII、III、IV 處理器均采用這種封裝形式。

2.CBGA（CeramicBGA）基板：即陶瓷基板，芯片與基板間的電氣連接通常采用倒裝芯片（FlipChip，簡稱 FC）的安裝方式。Intel 系列 CPU 中，Pentium I、II、Pentium Pro 處理器均采用過這種封裝形式。

3.FCBGA（FilpChipBGA）基板：硬質多層基板。

4.TBGA（TapeBGA）基板：基板為帶狀軟質的 1-2 層 PCB 電路板。

5.CDPBGA（Carity Down PBGA）基板：指封裝中央有方型低陷的芯片區（又稱空腔區）。

BGA 封裝具有以下特點：

1.I/O 引腳數雖然增多，但引腳之間的距離遠大于 QFP 封裝方式，提高了成品率。

2.雖然 BGA 的功耗增加，但由于采用的是可控塌陷芯片法焊接，從而可以改善電熱性能。

3.信號傳輸延遲小，適應頻率大大提高。

4.組裝可用共面焊接，可靠性大大提高。

CSP 封裝

CSP(Chip Scale Package)，是芯片級封裝的意思。CSP 封裝最新一代的內存芯片封裝技術，其技術性能又有了新的提升。CSP 封裝可以讓芯片面積與封裝面積之比超過 1:1.14，已經相當接近 1:1 的理想情況，絕對尺寸也僅有 32 平方毫米，約為普通的 BGA 的 1/3，僅僅相當于 TSOP 內存芯片面積的 1/6。與BGA 封裝相比，同等空間下 CSP 封裝可以將存儲容量提高三倍。0.2 毫米，大大提高了內存芯片在長時間運行后的可靠性，線路阻抗顯著減小，芯片速度也隨之得到大幅度提高。CSP 封裝內存芯片的中心引腳形式有效地縮短了信號的傳導距離，其衰減隨之減少，芯片的抗干擾、抗噪性能也能得到大幅提升，這也使得 CSP 的存取時間比 BGA 改善 15%-20%。在 CSP 的封裝方式中，內存顆粒是通過一個個錫球焊接在 PCB 板上，由于焊點和 PCB 板的接觸面積較大，所以內存芯片在運行中所產生的熱量可以很容易地傳導到 PCB 板上并散發出去。CSP 封裝可以從背面散熱，且熱效率良好，CSP的熱阻為 35℃/W，而 TSOP 熱阻 40℃/W。CSP 封裝又可分為四類：1.Lead Frame Type(傳統導線架形式)，代表廠商有富士通、日立、Rohm、高士達（Goldstar）等等。2.Rigid Interposer Type(硬質內插板型)，代表廠商有摩托羅拉、索尼、東芝、松下等等。3.Flexible Interposer Type(軟質內插板型)，其中最有名的是 Tessera 公司的 microBGA，CTS 的sim-BGA 也采用相同的原理。其他代表廠商包括通用電氣（GE）和 NEC。4.Wafer Level Package(晶圓尺寸封裝)：有別于傳統的單一芯片封裝方式，WLCSP 是將整片晶圓切割為一顆顆的單一芯片，它號稱是封裝技術的未來主流，已投入研發的廠商包括 FCT、Aptos、卡西歐、EPIC、富士通、三菱電子等。

CSP 封裝具有以下特點：

1.滿足了芯片 I/O 引腳不斷增加的需要。

2.芯片面積與封裝面積之間的比值很小。

3.極大地縮短延遲時間。

CSP 封裝適用于腳數少的 IC，如內存條和便攜電子產品。未來則將大量應用在信息家電（IA）、數字電視（DTV）、電子書（E-Book）、無線網絡 WLAN／GigabitEthemet、ADSL／手機芯片、藍芽（Bluetooth）等新興產品中。

有關內存延時：

CAS 延時，有時也稱為 CL 或 CAS，是 RAM 必須等待直到它可以再次讀取或寫入的最小時鐘數。很明顯，這個數字越低越好。tRCD 是內存中特殊行上的數據被讀取/寫入之前的延遲。這個數字也是越低越好。tRP 主要是行預充電的時間。tRP 是系統在向一行寫入數據之后，在另一行被激活之前的等待時間。越低越好。

tRAS 是行被激活的最小時間。所以基本上 tRAS 是指行多少時間之內必須被開啟。這個數字隨著 RAM設置，變化相當多。Automatic Configuration"自動設置"（可能的選項：On/ Off 或 Enable/Disable）可能出現的其他描述為：DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD 等，如果你要手動調整你的內存時序，你應該關閉它，之后會自動出現詳細的時序參數列表。Bank Interleaving（可能的選項：Off/Auto/2/4）這里的 Bank 是指 L-Bank，目前的 DDR RAM 的內存芯片都是由 4 個 L-Bank 所組成，為了最大限度減少尋址沖突，提高效率，建議設為 4（Auto 也可以，它是根據 SPD 中的 L-Bank 信息來自動設置的）。Burst Length"突發長度"（可能的選項：4/8）

一般而言，如果是 AMD Athlon XP 或 Pentium4 單通道平臺，建議設為 8，如果是 Pentium4 或 AMD 64的雙通道平臺，建議設為 4。但具體的情況要視具體的應用而定。

CAS Latency "列地址選通脈沖潛伏期"（可能的選項：1.5/2/2.5/3）

BIOS 中可能的其他描述為：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay。

Command Rate"首命令延遲"（可能的選項：1/2）

這個選項目前已經非常少見，一般還被描述為 DRAM Command Rate、CMD Rate 等。由于目前的 DDR內存的尋址，先要進行 P-Bank 的選擇（通過 DIMM 上 CS 片選信號進行），然后才是 L-Bank/行激活與列地址的選擇。這個參數的含義就是指在 P-Bank 選擇完之后多少時間可以發出具體的尋址的 L-Bank/行激活命令，單位是時鐘周期。顯然，也是越短越好。但當隨著主板上內存模組的增多，控制芯片組的負載也隨之增加，過短的命令間隔可能會影響穩定性。因此當你的內存插得很多而出現不太穩定的時間，才需要將此參數調長。目前的大部分主板都會自動設置這個參數，而從上文的 ScienceMark 2.0 測試中，大家也能察覺到容量與延遲之間的關系。

RAS Precharge Time "行預充電時間"（可能的選項：2/3/4）BIOS 中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。RAS-to-CAS Delay"行尋址至列尋址延遲時間"（可能的選項：2/3/4/5）BIOS 中的可能其他描述： tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD 等。Active to Precharge Delay"行有效至行預充電時間"（可能的選項：1……5/6/7……15）BIOS 中的可能其他描述：tRAS、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay 等。這個參數要根據實際情況而定，具體設置思路見上文，并不是說越大或越小就越好。

第八：超標量。超標量是指在一個時鐘周期內 CPU 可以執行一條以上的指令。這在 486 或者以前的 CPU上是很難想象的，只有 Pentium 級以上 CPU 才具有這種超標量結構；486 以下的 CPU 屬于低標量結構，即在這類 CPU 內執行一條指令至少需要一個或一個以上的時鐘周期。

第九：L1 高速緩存，也就是我們經常說的一級高速緩存。在 CPU 里面內置了高速緩存可以提高 CPU 的運行效率，這也正是 486DLC 比 386DX-40 快的原因。內置的 L1 高速緩存的容量和結構對 CPU 的性能影響較大，容量越大，性能也相對會提高不少，所以這也正是一些公司力爭加大 L1 級高速緩沖存儲器容量的原因。不過高速緩沖存儲器均由靜態 RAM 組成，結構較復雜，在 CPU 管芯面積不能太大的情況下，L1級高速緩存的容量不可能做得太大。

第十：采用回寫(Write Back)結構的高速緩存。它對讀和寫操作均有效，速度較快。而采用寫通(Write-through)結構的高速緩存，僅對讀操作有效.

第十一：動態處理。動態處理是應用在高能奔騰處理器中的新技術，創造性地把三項專為提高處理器對數據的操作效率而設計的技術融合在一起。這三項技術是多路分流預測、數據流量分析和猜測執行。動態處理并不是簡單執行一串指令，而是通過操作數據來提高處理器的工作效率。動態處理包括了棗 1、多路分流預測：通過幾個分支對程序流向進行預測，采用多路分流預測算法后，處理器便可參與指令流向的跳轉。它預測下一條指令在內存中位置的精確度可以達到驚人的 90%以上。這是因為處理器在取指令時,還會在程序中尋找未來要執行的指令。這個技術可加速向處理器傳送任務。2、數據流量分析：拋開原程序的順序，分析并重排指令，優化執行順序：處理器讀取經過解碼的軟件指令，判斷該指令能否處理或是否需與其它指令一道處理。然后，處理器再決定如何優化執行順序以便高效地處理和執行指令。3、猜測執行：通過提前判讀并執行有可能需要的程序指令的方式提高執行速度：當處理器執行指令時(每次五條)，采用的是"猜測執行"的方法。這樣可使奔騰 II 處理器超級處理能力得到充分的發揮，從而提升軟件性能。被處理的軟件指令是建立在猜測分支基礎之上，因此結果也就作為"預測結果"保留起來。一旦其最終狀態能被確定，指令便可返回到其正常順序并保持永久的機器狀態。

內存知識以及游戲內存需求分析

什么是補位？

以一個顆粒是 8 位的內存來說，單個顆粒的位是 8 位。但由于某些顆粒不良，內部壞了 4 個位，但是另外 4 個位還可以利用。如果用這種顆粒做一條 64 位的內存，那么正常的 8 顆 IC 是不夠的，必需是16 顆才夠。其原理是用正面 IC 的 4 個好位去與反面的 IC 的 4 個好位，互相補成 8 個位。再用特殊的底板將好的位共在一起用，這就叫補位。這種 IC 也叫降級 IC。用補位的方式產生的內存也可以稱為補位內存條。

有關內存等級：

等級直接是指能得到的最大帶寬，而間接指內存時鐘速度。例如，PC2100 擁有 2.1GB/S 的最大傳輸速度，和 133MH z 的時鐘速度。作為另一個例子的 PC4000，具有 4GB/S 的理想傳輸速度和 250MHz的時鐘。要從 PCXXXX 等級中獲得 時鐘速度，把等級除以 16 就行了。把速度等級乘上 16 就得到了帶寬等級。

有關內存時鐘速度：

DDR XXX 正好是實際時鐘速度的兩倍；也就是說，DDR 400 是設定在 200MHz 下的。如果想要知道 DDR XXX 速度的 PC-XXXX 速度，把它乘上 8 就行了。根據廠商生產的定義分類。希望對選購有幫助。謹供參考：

一、 普通型：

符合標稱、多為散裝貨（并不是沒有包裝）、一般為低端型號（使用原料相對成本低廉）

二、 類超頻型：

使用了體質較好的顆粒（也有的是挑選過的）、加少許電壓能穩定工作在一定的頻率上(一般情況不會燒毀）、

生產和包裝推廣上增加了成本。

三、 游戲型：

顆粒能在一些苛刻的條件下穩定工作的、控制芯片（清空和進駐的時間減少）、 成本增加（一定會提高）

例如：

金士頓的分類：KTC 系統指定內存 HyperX 玩家內存 KVR 通用內存芝奇的分級是這樣的，首先分等，依次是 G]H]P]N，每一等再分為五個級別 Z]A]K]Q]J。 PK 就表示是P 級 K 等的內存，屬于中端，HZ 則屬于較高端。威剛的分類：紅色威龍系列是高端，易超頻，帶散熱片，外觀漂亮。萬紫千紅系列是低端，但是兼容性好，便宜，性價比高。

所謂一看品牌，指的是盡量購買一線品牌的產品，內存條如威剛、金士頓等國際大廠的產品。閃存產品如朗科、SanDisk 等品牌。這樣的品牌一般綜合素質過硬，可以確保消費者無憂購買。而相應的，一些二三線品牌、雜牌，消費者在不是很了解的情況下盡量不要選購。所謂二看品質，指的是在購買時可以適當的了解下產品的功能素質。如包裝上有無"超穩定"標識，閃存盤使用注重數據穩定安全，如無"超穩定"標識則易藏隱患。再比如現場檢測一下容量，以免誤購縮水閃存盤。內存條則要看 PCB 板做工是否精細，IC 顆粒是否被打磨，標稱速度是否達標等指標。內存與主板不兼容的故障較為常見，表現為昨天電腦還用的好好的，可是今天早晨一開機，即"嘀嘀"地叫個不停。只有打開機箱，把內存條取下來重新插一下就好了。注意：在拔插內存條時一定要拔掉主機和電源線，防止意外燒毀內存。這是故障輕的，嚴重的話，需要把幾個內存插槽都擦拭好幾遍，才能把機子點亮。可是用不了十天半個月，就又會再出現報警的情況。只要你打開機箱把內存插一下就又好了。你說機器有問題，只要點亮了，就是連續運行十天半個月的一點問題也沒有。可老是報警這誰也受不了。這種情況就是典型的內存與主板不兼容。

造成這種故障的原因有：

⑴ 內存條不規范，內存條有點薄。當內存插入內存插槽時，留有一定的縫隙。如果在使用過程中有振動或灰塵落入，就會造成內存接觸不良，產生報警。

⑵ 內存條的金手指工藝差，金手指的表面鍍金不良。在長時間的使用過程中，金手指表面的氧化層逐漸增厚，積累到一定程度后，就會致使內存接觸不良，開機時內存報警。

⑶ 內存插槽質量低劣，簧片與內存條的金手指接觸不實在，在使用過程中始終存在著隱患，在一定的時間就會點不亮，開機報警。

⑷ 再就是純粹的不兼容情況:一款條子，在有的主板上用得好好的，但是到了這塊主板上卻經常死機，或者不能正常啟動。這就是典型的不兼容情況。

處理方案：

⑴ 用橡皮仔細地把內存條的金手指擦干凈，重新插入插槽。

⑵ 用熱熔膠把內存插槽兩邊的縫隙填平，防止在使用過程中繼續氧化。

⑶ 如果使用一段時間以后，還出現報警，這時可先更換一下內存條，看在以后的使用過程中是否還出現報警。

⑷ 如果過一段時間以后還有內存報警出現，這時只有更換主板，才能徹底解決問題。對于內存條與主板因為技術問題不兼容的情況，只能更換其他品牌的內存條，當然也可以換主板。

一、用萬用表測量內存芯片的方法

在主板與內存的數據引腳是 64 個，D0-D63，為了保護內存的數據位腳，在 D0-D63 這 64 個數據位腳都加有一個阻值不大的電阻（10 歐）起限流作用。而測試儀主要的原理是用程序重復測試內存芯片的每個數據位引腳，看有沒有擊穿或短路的數據位引腳，還有就是芯片的時鐘引腳、地址引腳。所以用萬用表測試芯片時也可用測試儀的方法來測，只要紅筆對地（1 腳），黑筆測量排陰阻的阻值，就是內存芯片數據位的阻值來判斷是哪個芯片壞了，正常的話每個數據位阻值相同。但還是沒有測試儀那么直觀，用這種方法可測量 DDR 內存芯片的好壞。

二、 用測試儀測量內存芯片方法

根據使用說明書，測量的內存在 2A、2B 這里，指單組和雙組的意思。但 16 位的芯片有 8 個，也相當于是兩組，8 位的芯片有 16 個也相當于兩組。2A 為第二組，2B 為第一組。測量時會循環測試每一組中的每一個芯片的數據位腳。一般測了 3 次—5 次沒壞就是好的。好的芯片為：PASS。壞的芯片就顯示出壞的數據位引腳。

1、 開機跳不進測試，一般有：芯片短路、PCB 板短路。解決方法為把芯片拆下來換到好的 PCB 板上試芯片好壞，看是什么問題。

2、 內存測試儀不測試 SPD 芯片，SPD 芯片可有可無

3、 金手指燒了的話也不能測試，必須把芯片拆下換到好的 PCB 板上試芯片好壞顯存頻率和內存速度之間的關系是什么呢?顯存頻率是指默認情況下，該顯存在顯卡上工作時的頻率，以 MHz（兆赫茲）為單位。顯存頻率一定程度上反應著該顯存的速度。顯存頻率隨著顯存的類型、性能的不同而不同，SDRAM 顯存一般都工作在較低的頻率上，一般就是 133MHz 和 166MHz，此種頻率早已無法滿足現在顯卡的需求。DDR SDRAM顯存則能提供較高的顯存頻率，主要在中低端顯卡上使用，DDR2 顯存由于成本高并且性能一般，因此使用量不大。DDR3 顯存是目前高端顯卡采用最為廣泛的顯存類型。不同顯存能提供的顯存頻率也差異很大，主要有 400MHz、500MHz、600MHz、650MHz 等，高端產品中還有 800MHz、1200MHz、1600MHz，甚至更高。顯存頻率與顯存時鐘周期是相關的，二者成倒數關系，也就是顯存頻率＝1/顯存時鐘周期。如果是SDRAM 顯存，其時鐘周期為 6ns，那么它的顯存頻率就為 1/6ns=166 MHz。而對于 DDR SDRAM 或者 DDR2、DDR3，其時鐘周期為 6ns，那么它的顯存頻率就為 1/6ns=166 MHz，但要了解的是這是DDR SDRAM 的實際頻率，而不是我們平時所說的 DDR 顯存頻率。因為 DDR 在時鐘上升期和下降期都進行數據傳輸，其一個周期傳輸兩次數據，相當于 SDRAM 頻率的二倍。習慣上稱呼的 DDR 頻率是其等效頻率，是在其實際工作頻率上乘以 2，就得到了等效頻率。因此 6ns 的 DDR 顯存，其顯存頻率為1/6ns*2=333 MHz。具體情況可以看下邊關于各種顯存的介紹。但要明白的是顯卡制造時，廠商設定了顯存實際工作頻率，而實際工作頻率不一定等于顯存最大頻率。此類情況現在較為常見，如顯存最大能工作在 650 MHz，而制造時顯卡工作頻率被設定為 550 MHz，此時顯存就存在一定的超頻空間。這也就是目前廠商慣用的方法，顯卡以超頻為賣點。此外，用于顯卡的顯存，雖然和主板用的內存同樣叫 DDR、DDR2 甚至 DDR3，但是由于規范參數差異較大，不能通用，因此也可以稱顯存為 GDDR、GDDR2、GDDR3我們都知道，在 PC 應用領域，圖形處理、游戲和文字處理是最主要的任務。顯然，游戲和圖形處理是對內存要求較高的任務，但即使在這兩方面，也不能一概而論地說就要高性能的內存。因為游戲中也分即時戰略和動作射擊（很多 3D 化的 RPG 現在也可歸入此類了）兩大類，不同的游戲對系統的要求是不一樣的，當然裝機配內存的時候就不能一刀切了。

3D 動作類游戲

3D 動作類最典型的代表是 CS 與極品飛車等游戲，這些游戲除了對顯卡要求高外，對內存的帶寬和瞬間的數據吞吐能力要求也是很高的。因為多數人用的顯卡都是 64MB 顯存或以下的，AGP 顯卡借用系統內存是不可避免的；即使是具有 128MB 顯存的顯卡，也不可能完全包辦大型 3D 游戲產生的數據需求。越復雜越絢麗的場景，對內存的要求就越高。例如 CS 里的煙霧 dan 投擲后、水里行進的光線折射，飛車里的車面質感、尾氣煙塵的效果等等，都需要在瞬間傳送大量的數據，渲染多個三角形，所以對速度是很敏感的。如果內存提供的帶寬不夠高，在一些如多人混戰、多輛車子搶道、撞車等場景，就可能出現暫時的停滯感，玩起來當然很不爽了。不過，這類游戲總體上的數據量卻不算很多——因為激烈對抗的場景不是時時都有，有時游戲中的單位死亡了，停止活動了，數據傳輸量也會減少——這種游戲，應該搭配性能指標高的內存。256MB 的 DDR266/333 往往會比 512MB 的 SDRAM 效果好。

即時戰略類游戲

魔獸 3 是最近最火爆的游戲之一，這是一個 3D 化的即時戰略游戲。盡管采用了 3D 的界面，這個游戲需要渲染的三角形卻不算多，一塊 32MB 的顯卡基本上就可勝任了（當然如果把游戲調為高分辨率、高色深的話還是需要 64MB 的顯存才能跑得順）。這個游戲對內存的胃口在于容量而不是帶寬指標，因為這個游戲的單位是死亡后馬上又產生新的單位補充，除非玩家游戲資金耗盡被消滅，否則單位只會越來越多。到后期大家基本上都是滿員的 90 人口，每個單位都要占用一定量的內存，4 家以上對戰的話，系統的負荷是相當大的，容量少于 256MB 的時候，可以明顯感覺到游戲的停滯。尤其是多個單位施放魔法的時候，光影效果更復雜，低容量內存配置的系統，基本就沒法玩了。例如有人裝的是高端 Pentium 4+128MBRDRAM 機型，玩魔獸 3 將是很痛苦的。一般來說，這種游戲至少要 256MB 內存才會流暢，512MB 的SDRAM，在這里會比 256MB 的 DDR 或 RDRAM 顯出優勢來。

總的來說，內存大的時候，讀取和存檔速度會快點；游戲的峰值數據傳輸，就要靠內存的最高帶寬了。因此容量與性能的均衡，還要看你的具體要求和內存的合理搭配了。

內存，PC 數據存儲交換的關鍵所在，動品質一發而動全 PC 系統，要想鑒別真正的高品質內存，要盡量往小處看，往細微之處深究。在市面上的內存條品種不少，但真正考量，內存其實并不一般。內存顆粒的優劣和內存基板層數是決定內存質量的重要因素，但品牌因素也不可忽視。大牌廠商生產的品牌內存一般比同級非品牌內存質量高，即便是所用的 DRAM 芯片相同，內存基板相同，甚至外觀也一模一樣。

1.PCB 層數

DIMM 內存一般有 4 層印制基板(PCB)和 6 層印制基板之分。一般來說，6 層的比 4 層的抗干擾性強，當然內存的品質還與所用的內存顆粒等因素有關。要區分內存用的是 4 層基板還是 6 層基板，單從外表來看是很困難的。一般說來，4 層基板比 6 層基板薄。

2.基板信號線

我們還可以從基板表面信號線的多少來判斷。將內存基板有 SPD 芯片的一面朝上，觀察內存顆粒間的信號線。信號線比較多的是 4 層基板，反之信號線少的則是 6 層基板。這是因為在采用 6 層基板的內存條上，許多信號線都位于內部的布線層上，而不需要在表面層引出。

3.SPD 信息

SPD 是英文 Serial Presence Detect 的縮寫。它指的是內存條上一個較小的 EEPROM 器件以及它里邊記錄的數據。SPD 里面的數據有 128Byte，包括容量、組成結構、性能參數以及廠家信息等。開機自檢時 BIOS 要參考 SPD 信息對內存進行初始化。很多非品牌內存中 SPD 內容很簡單甚至很多信息均為空白，可見由 SPD 的設置情況也能判斷內存的質量。

4.金手指工藝

金手指實際是在一層銅皮（也叫覆銅板）上通過特殊工藝再覆上一層金，因為金不易被氧化，超強的導通性。內存處理單元的所有數據流、電子流正是通過金手指與內存插槽的接觸與 PC 系統進行交換，是內存的輸出輸入端口，因此其工藝則顯得相當重要，同時要耗費一定量的貴重金屬——黃金，是內存成本的敏感部分。金手指的金層大致有兩種工藝標準：化學沉金和電鍍金。在目前市面銷售的絕大多數內存的金手指金層都是采取化學沉金，化學沉金的金層的厚度一般在 3-5 微米，很薄，很多優質內存的可能達到 6 微米，但因工藝限制，最后金層也不會超過 10 微米。這層薄金在安裝過程與插槽很容易因磨擦而脫落，受損后的金層裸露在空氣中，日積月累，特別是電流和高溫的作用下，很容易在空氣中被氧化，氧化層形成并不斷擴展，而氧化物的導電性很差，從而造成數據流、電子流的不正常傳輸，自然系統的穩定性降低。另一種成金方式，是電鍍金。電鍍金是在含金電解液中的正極凝集，只要保證正負極存在，金的積淀就會持續下去，原理上金層厚度可以無限。金層厚度增加，在使用中能有效抗摩擦破損，防止氧化層產生，保證金手指與接觸部位的良好導通性，因此這項奢侈工藝對系統穩定性非常有益。

5.PCB 板工藝

DRAM 和很多輔助元件、集成電路都在小小的一塊 PCB 板上，PCB 的質量優劣對整塊內存的影響可見一斑。那么決定 PCB 質量優劣的因素主要有哪些呢？銅皮層數（也即 PCB 板層數）、銅皮質量是關鍵。銅皮層數（也即 PCB 板層數）越多，電子線路的布線空間會更大，密密麻麻的線路將能得到最優化的布局，這就能有效的減少電磁干擾和不穩定因素。在運行過程中，伴隨內存高速的數據交換存在強大的電子流，形成電子噪音，如果層數的增多，相應電磁屏蔽的效果就會更明顯，這就進一步加強了穩定性。因此，6層 PCB 在其他方面都相同的前提下，肯定要比 4 層 PCB 穩定的多。

6.焊接工藝

焊接工藝在品質方面起到至關重要的作用。焊接工藝中，焊錫的質量是重要因素。錫熔點低、不易腐蝕，是優良的焊接劑。但是錫也分等級，高等級錫在純度、配比、錫球數量和大小以及相應的熔點溫度上都表現不俗，值得一提的是錫球，錫在經過提純后會經過特殊粉碎工藝將塊狀錫磨成極細小的錫球，再將錫球根據需要熔鑄成各種形狀，例如焊條等。在回爐焊中，錫球越細就越容易吸收熱量，融化的更透徹，自然焊接就越緊密，不會出現虛焊現象。眾所周知，真正在焊接時采用的并非純錫，為了保障焊接速度和質量需添加助焊劑（一般為液態松香）和凝固力較好的鉛等重金屬，嚴格按照一定配比在雙轉向離心攪拌機中充分攪拌均勻，焊接的每一個環節都細致入微，分分見真功，很多高品質內存都始終從點滴入手，才能做出精品的！

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